|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis |
| Auteur: |
Tsatsulnikov, A. F. Lundin, V. W. Zavarin, E. E. Yagovkina, M. A. Sakharov, A. V. Usov, S. O. Zemlyakov, V. E. Egorkin, V. I. Bulashevich, K. A. Karpov, S. Yu. Ustinov, V. M. |
| Verschenen in: |
Semiconductors |
| Paginering: | Jaargang 50 (2016) nr. 10 pagina's 1383-1389 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |