|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Hall effect measurements on transmutation doped semiconductors |
| Auteur: |
Ch. von Nathusius R. Vianden |
| Verschenen in: |
Hyperfine interactions |
| Paginering: | Jaargang 129 (2000) nr. 1 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, The Netherlands |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |