|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 36 van 77 gevonden artikelen
| Titel: |
Molecular beam epitaxy-surface and kinetic effects |
| Auteur: |
Foxon, C. T. |
| Verschenen in: |
Critical reviews in solid state and materials sciences |
| Paginering: | Jaargang 10 (1981) nr. 3 pagina's 235-242 |
| Jaar: |
1981-06-01 |
| Inhoud: |
Molecular beam epitaxy (MBE) is a refined form of vacuum evaporation in which atomic and molecular beams impinge on a heated substrate under ultra high vacuum conditions. The technique evolved from surface kinetic studies on GaAs (1) and Si(2) and was subsequently used to grow films for device purposes. Because of the two complementary aspects of its development, many of the processes controlling both growth and dopant incorporation in MBE are quite well understood. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 36 van 77 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |