|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 34 van 77 gevonden artikelen
| Titel: |
Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors |
| Auteur: |
Wicks, Gary W. |
| Verschenen in: |
Critical reviews in solid state and materials sciences |
| Paginering: | Jaargang 18 (1993) nr. 3 pagina's 239-260 |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: |
Molecular beam epitaxy (MBE) has been instrumental in the advancement of the physics and technology of semiconductors that has occurred over the last few decades. The III-V material system has led the way in these new developments. This article discusses the technology of III-V MBE, highlights selected topics in its development, discusses growth mechanisms, and mentions possible future directions. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 34 van 77 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |