|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 77 gevonden artikelen
| Titel: |
Hydrogen in amorphous semiconductors |
| Auteur: |
Knights, John C. Lucovsky, Gerald |
| Verschenen in: |
Critical reviews in solid state and materials sciences |
| Paginering: | Jaargang 9 (1980) nr. 3 pagina's 211-283 |
| Jaar: |
1980-10-01 |
| Inhoud: |
Over the past 5 years, there has been growing interest in a class of amorphous semiconductors deposited in thin-film form in the presence of hydrogen. The interest has derived primarily from certain electronic properties, such as the ability to control the Fermi level by substitutional doping, that make the materials potential candidates for solar photovoltaic energy conversion and thin-film device applications. These same properties have also made the materials attractive “test-beds” for basic research into electronic processes and defect states in amorphous semiconductors. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 77 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |