|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 53 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Temperature dependence of electrical properties for MOS capacitor with HfO2/SiO2 gate dielectric stack |
| Auteur: |
Yu, T. Jin, C.G. Dong, Y.J. Cao, D. Zhuge, L.J. Wu, X.M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 16 (2013) nr. 5 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 53 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |