|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 3 gevonden artikelen
| Titel: |
MOVPE homoepitaxy of high-quality GaN: Crystal growth and devices |
| Auteur: |
Kirchner, C. Schwegler, V. Eberhard, F. Kamp, M. Ebeling, K.J. Prystawko, P. Leszczynski, M. Grzegory, I. Porowski, S. |
| Verschenen in: |
Progress in crystal growth and characterization of materials |
| Paginering: | Jaargang 41 (2000) nr. 1-4 pagina's 27 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 3 gevonden artikelen
| << vorige |