|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Electronic structure and optical properties of In2X2O7 (X=Si, Ge, Sn) from direct to indirect gap: An ab initio study |
| Auteur: |
Reshak, A.H. Khan, Saleem Ayaz |
| Verschenen in: |
Computational materials science |
| Paginering: | Jaargang 78 (2013) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |