|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 44 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Write once read many times resistance switching memory based on all-inorganic perovskite CsPbBr3 quantum dot |
| Auteur: |
Chen, Zhiliang Zhang, Yating Yu, Yu Che, Yongli Jin, Lufan Li, Yifan Li, Qingyan Li, Tengteng Dai, Haitao Yao, Jianquan |
| Verschenen in: |
Optical materials |
| Paginering: | Jaargang 90 (2019) nr. C pagina's 123-126 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 44 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |