|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep levels in p- and n-type InGaAsN for high-efficiency multi-junction III–V solar cells |
| Auteur: |
Kaplar, R.J. Kwon, D. Ringel, S.A. Allerman, A.A. Kurtz, Steven R. Jones, E.D. Sieg, R.M. |
| Verschenen in: |
Solar energy materials and solar cells |
| Paginering: | Jaargang 69 (2001) nr. 1 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |