|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 867 van 913 gevonden artikelen
| Titel: |
Thermal stability of GaAs tunnel junctions using carbon as a p-type dopant grown by metal-organic vapor phase epitaxy |
| Auteur: |
Gotoh, Shu Ueda, Takashi Kakinuma, Hiroaki Akiyama, Masahiro |
| Verschenen in: |
Solar energy materials and solar cells |
| Paginering: | Jaargang 50 () nr. 1-4 pagina's 281-288 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 867 van 913 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |