|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 98 van 136 gevonden artikelen
| Titel: |
Ohmic contacts on n-type layers formed in GaN/AlGaN/GaN by dual-energy Si ion implantation |
| Auteur: |
Shiino, Tomohisa Saitoh, Tomohiro Nakamura, Tohru Inada, Taroh |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 267 (2009) nr. 8-9 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 98 van 136 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |