|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Physics-based modeling of TID induced global static leakage in different CMOS circuits |
| Auteur: |
Zebrev, Gennady I. Orlov, Vasily V. Gorbunov, Maxim S. Drosdetsky, Maxim G. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 84 (2018) nr. C pagina's 181-186 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |