|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface |
| Auteur: |
Higashi, Yusuke Takaishi, Riichiro Kato, Koichi Suzuki, Masamichi Nakasaki, Yasushi Tomita, Mitsuhiro Mitani, Yuichiro Matsumoto, Masuaki Ogura, Shohei Fukutani, Katsuyuki Yamabe, Kikuo |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |