|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Active defects in MOS devices on 4H-SiC: A critical review |
| Auteur: |
Amini Moghadam, Hamid Dimitrijev, Sima Han, Jisheng Haasmann, Daniel |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 60 (2016) nr. C pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 22 gevonden artikelen
| volgende >> |