|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Temperature dependent model for threshold voltage and subthreshold slope of strained-Si channel MOSFETs with a polysilicon gate |
| Auteur: |
Biswas, Abhijit Bhattacherjee, Swagata |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 8 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |