|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 54 gevonden artikelen
| Titel: |
Reliability investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse-bias stress |
| Auteur: |
Chen, Wei-Wei Ma, Xiao-Hua Hou, Bin Zhao, Sheng-Lei Zhu, Jie-Jie Zhang, Jin-Cheng Hao, Yue |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 6-7 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 54 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |