|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation |
| Auteur: |
Sasaki, Hajime Kadoiwa, Kaoru Koyama, Hidetoshi Kamo, Yoshitaka Yamamoto, Yoshitsugu Oishi, Toshiyuki Hayashi, Kazuo |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |