|
Mechanism of anomalous recovery in advanced SiGe bipolar transistors after low dose rate irradiation for very high total doses |
|
|
|
Titel: |
Mechanism of anomalous recovery in advanced SiGe bipolar transistors after low dose rate irradiation for very high total doses |
Auteur: |
Pershenkov, V.S. Ullán, M. Wilder, M. Spieler, H. Spencer, E. Rescia, S. Newcomer, F.M. Martinez-McKinney, F. Kononenko, W. Grillo, A.A. Díez, S. |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 54 (2014) nr. 11 pagina's 4 p. |
Jaar: |
2014 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|