|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 75 van 117 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design |
| Auteur: |
Ghosh, S. Grandchamp, B. Koné, G.A. Marc, F. Maneux, C. Zimmer, T. Nodjiadjim, V. Riet, M. Dupuy, J.-Y. Godin, J. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 9-11 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 75 van 117 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |