|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of La2O3 incorporation in HfO2 gated nMOSFETs on low-frequency noise |
| Auteur: |
Zade, D. Sato, S. Kakushima, K. Srivastava, A. Ahmet, P. Tsutsui, K. Nishiyama, A. Sugii, N. Natori, K. Hattori, T. Sarkar, C.K. Iwai, H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |