|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Drain current model for undoped Gate Stack Double Gate (GSDG) MOSFETs including the hot-carrier degradation effects |
| Auteur: |
Djeffal, F. Bentrcia, T. Abdi, M.A. Bendib, T. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |