|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 43 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
The analysis of I–V characteristics of Schottky diodes by thermionic emission with a Gaussian distribution of barrier height |
| Auteur: |
Dökme, İlbilge |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 43 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |