|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
1/f Noise in GaN HEMTs grown under Ga-rich, N-rich, and NH3-rich conditions |
| Auteur: |
Roy, Tania Puzyrev, Yevgeniy S. Zhang, En Xia DasGupta, Sandeepan Francis, Sarah A. Fleetwood, Daniel M. Schrimpf, Ronald D. Mishra, Umesh K. Speck, James S. Pantelides, Sokrates T. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |