|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Inserting a low-temperature n-GaN underlying layer to separate nonradiative recombination centers improves the luminescence efficiency of blue InGaN/GaN LEDs |
| Auteur: |
Lin, Ray-Ming Lin, Yung-Hsiang Chiang, Chung-Hao Lai, Mu-Jen Chou, Yi-Lun Lu, Yuan-Chieh Kuo, Shou-Yi Fang, Bor-Ren Wu, Meng-Chyi |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |