|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate tunneling leakage current behavior of 40nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect |
| Auteur: |
Hung, H.J. Kuo, J.B. Chen, D. Yeh, C.S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 5 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |