|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of interface state trap density on the performance characteristics of different III–V MOSFET architectures |
| Auteur: |
Benbakhti, B. Ayubi-Moak, J.S. Kalna, K. Lin, D. Hellings, G. Brammertz, G. De Meyer, K. Thayne, I. Asenov, A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |