|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
The electron irradiation effects on silicon gate dioxide used for power MOS devices |
| Auteur: |
Badila, M. Godignon, Ph. Millan, J. Berberich, S. Brezeanu, G. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 41 (2001) nr. 7 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |