|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 85 gevonden artikelen
| Titel: |
Failure mechanisms of Schottky gate contact degradation and deep traps creation in AlGaAs/InGaAs PM-HEMTs submitted to accelerated life tests |
| Auteur: |
Meneghesso, G. Crosato, C. Garat, F. Martines, G. Paccagnella, A. Zanoni, E. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 6-8 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 85 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |