|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Transient behavior and low V DS hysteresis in PD SOI MOSFETs |
| Auteur: |
Perron, L.M Hamaguchi, C Lacaita, A.L Maegawa, S Yamaguchi, Y |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 5 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |