|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of the hot-electron-induced degradation in thin SiO2 gate oxides |
| Auteur: |
Cartier, E |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 2 pagina's 11 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |