|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
The improvement of nitrogen doped Ge2Sb2Te5 on the phase change memory resistance distributions |
| Auteur: |
Xu, Zhen Liu, Bo Chen, Yifeng Zhang, Zhonghua Gao, Dan Wang, Heng Song, Zhitang Wang, Changzhou Ren, Jiadong Zhu, Nanfei Xiang, Yanghui Zhan, Yipeng Feng, Songlin |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 116 (2016) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |